แบบจำลองสัญญาณรบกวนข้างของวงจรกำเนิดสัญญาณรูปไซน์แบบผลต่าง
Main Article Content
Abstract
รายงานนี้นำเสนอแบบจำลองสัญญาฌรบกวนแถบข้างของวงจรกำเนิดสัญญาณรูปไซน์แบบผลต่างที่คิดผลของแหล่งจ่ายสัญญาณรบกวนความร้อนในซ่องนำกระแสของทรานซิสเตอร์ และสัญญาณรบกวน ความร้อนของตัวต้านทาน แบบจำลองดังกล่าวมีพื้นฐานมาจากคุณสักษณะการผันแปรแบบรายคาบของวงจร กำเนิดสัญญาณรูปไซน์แบบผลต่างที่ถูกสร้างมาจากการต่อไขว้ของทรานซิสเตอร์ แบบจำลองที่ได้ขึ้นกับ พารามิเตอร์โนการออกแบบวงจร ทั้งนี้ความถูกต้องของแบบจำลองดังกล่าวได้ถูกยืนยันโดยโปรแกรมจำลอง สัญญาณรบกวนรายคาบภายใน Virtuoso Spectre Circuit Simulator
Sideband Noise Model in CMOS Cross-Coupled Differential Sinusoidal Oscillator
This paper proposes a model for the conversion of the MOSFET channel thermal noise and the resistance thermal noise into the sideband noise, commonly known as phase noise, in the CMOS cross-coupled differential sinusoidal oscillator. The model is based on the periodic time-varying characteristic of the source-coupled pair employed in this oscillator. The model relating oscillator’s key performance parameters and CMOS process parameters. The validity of the proposed model was confirmed by the Periodic Noise (Pnoise) simulation available in the Cadence’s Virtuoso Spectre Circuit Simulator.
Article Details
How to Cite
[1]
เห็นงาม น., “แบบจำลองสัญญาณรบกวนข้างของวงจรกำเนิดสัญญาณรูปไซน์แบบผลต่าง”, J of Ind. Tech. UBRU, vol. 4, no. 1, pp. 27–33, Jun. 2016.
Section
Research Article
Articles published in Journal of Industrial Technology Ubon Ratchathani Rajabhat University both hard copy and electronically are belonged to the Journal.