การเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนกระเจิงกลับแบบ 3 มิติโดยใช้ลําไอออน
Main Article Content
บทคัดย่อ
การเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนกระเจิงกลับ (electron backscattered diffraction, EBSD) เป็นเทคนิคการตรวจด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (electron microscopy) อย่างหนึ่งซึ่งใช้ในการศึกษาเกี่ยวกับผลึก (crystal) เกรน (grain) และขอบเกรน (grain boundaries) ในผลึกของแข็ง เทคนิคดังกล่าวสามารถใช้ในการวัดทิศการวางตัวของผลึก (crystal orientation) ในแต่ละเกรนได้และสามารถนําไปใช้ในการศึกษาสมบัติทางโครงสร้างระดับไมโครของผลึกได้ การเก็บข้อมูลแผนภาพทิศการวางตัวของผลึกใน 2 มิติ (2D orientation map) ไม่สามารถให้ข้อมูลเกี่ยวกับความเอียงและโครงสร้างที่แท้จริงของเกรนและขอบเกรนได้ ดังนั้นในการศึกษาโครงสร้างอย่างละเอียดเฉพาะจุดจึงต้องการข้อมูลแบบ 3 มิติ การเก็บข้อมูล EBSD แบบ 3 มิติที่นิยมใช้ในปัจจุบันคือ การใช้ลําไอออนในการตัดชั้นระนาบของสารตัวอย่างที่ละชั้นและเก็บข้อมูล EBSD แบบ2 มิติในแต่ละชั้นแล้วนํามาเรียงต่อกันเป็น 3 มิติ ประเด็นของสารตัวอย่างที่ต้องคํานึงถึงเมื่อต้องนํามาเก็บข้อมูล EBSD แบบ 3 มิติ ได้แก่ การนําไฟฟ้า ความซับซ้อนของโครงสร้างผลึก และความเสียหายบนผิวหน้าเมื่อมีการตัดด้วยลําไอออน
Article Details

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.