การวิเคราะห์สเปกตรัมทางแสงจากการแตกตัวของไอซิงค์อะซิเตต ภายใต้หัวกําเนิดพลาสมาแบบฝักบัว

บทคัดย่อ

งานวิจัยนี้ได้ทําการศึกษาลักษณะของเส้นสเปกตรัมของแสงที่ปลดปล่อยออกมาจากหัวกําเนิดพลาสมาแบบฝักบัว โดยใช้ไอระเหยซิงค์อะซิเตตเป็นแก๊สตั้งต้นและใช้แก๊สฮีเลียมและแก๊สอาร์กอนทําหน้าที่เป็นแก๊สพาหะ แก๊สผสมถูกทําให้แตกตัวด้วยเทคนิคการเพิ่มการตกสะสมของไอสารละลายโลหะอินทรีย์ด้วยพลาสมา (plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition, PE-MOCVD) เมื่อใช้แก๊สฮีเลียมผสมไอของซิงค์อะซิเตตและทําการจุดพลาสมาที่ความดัน 800 Pa และใช้กําลังไฟฟ้าที่ขั้วกําลัง 30 W และที่ขั้วไบอัส 10 W พบเส้นสเปกตรัมของอะตอมสังกะสี Zn I (411.32 nm) เข้มมากที่สุด ซึ่งแสดงว่าที่เงื่อนไขนี้อะตอมของสังกะสีสามารถแยกตัวออกมาจากโมเลกุล Zn(CH₃COO)₂ ได้ดีที่สุด และเมื่อทําการจุดพลาสมาโดยใช้แก๊สอาร์กอนผสมไอของซิงค์อะซิเตต พบว่าเมื่อใช้กําลังไฟฟ้าที่ขั้วไบอัส 10 W พบเส้นสเปกตรัมของอะตอมสังกะสี Zn I (472.21 nm) มีความเข้มมากที่สุด และการเพิ่มกําลังไฟฟ้าที่ขั้วไบอัสทําให้แก๊สอาร์กอนแตกตัวในบริเวณ plasma after glow ได้มากขึ้นโดยสังเกตจากเส้นสเปกตรัมของอะตอมอาร์กอน Ar I (750.38 nm) มีความเข้มมากขึ้น ซึ่งการเพิ่มการแตกตัวของแก๊สอาร์กอนจะทําให้เกิดการระดมชนของไอออนที่แผ่นฐานมากขึ้นในระหว่างที่เกิดการฟอร์มตัวของฟิล์มซิงค์ออกไซด์ซึ่งจะช่วยให้ฟิล์มก่อตัวได้ดีที่อุณหภูมิของแผ่นฐานต่ํากว่า (lower substrate temperature) เมื่อเทียบกับการเตรียมฟิล์มด้วยเทคนิค CVD ทั่วๆ ไป