การเคลือบฟิล์มบางอินเดียมทินออกไซด์นำไฟฟ้าบนกระจก ด้วยวิธีการควบคุมกำลังของดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริง

Abstract

บทคัดย่อ

ฟิล์มบางอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) เคลือบบนกระจำด้วยวิธีการควบคุมกำลังไฟฟ้าของดีซีแมกนีตรอน สปัตเตอรีง โดยความหนาของชั้น ITO ที่เคลือบบนกระจกสามารถวัดได้ด้วยเทคนิคอินเตอร์เฟอร์โร ความต้านทานแบบแผ่นของฟิล์มได้ทำการวัดด้วยเทคนิคการวัดแบบสี่จุด จากนั้นฟิล์มบางถูกนำไปวิเคราะห์หาโครงสร้างผลึกและพลังงานยึดเหนี่ยวของโมเลกุล ด้วยเทคนิคการเลี้ยวเบนของรังสีเอกส์ และเทคนิคการเรืองแสงของรังสีเอกส์ตามลำดับ พบว่าบางมีความหนาอยู่ในช่วง 204 ถึง 793 นาโนเมตร เมื่อทำการเปลี่ยนแปลงกำลังของดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงจาก 50 ถึง 150 วัตต์ อีกทั้งความต้านทานแบบแผ่นของฟิล์มบางมีค่าระหว่าง 264 ถึง 499 โอห์มต่อตารางเซนติเมตร พร้อมกันนี้ ค่าพลังงานเหนี่ยวนำและโครงสร้างผลึกที่วิเคราะห์ได้ขึ้ซัดว่าฟิล์มบางที่เตรียมขึ้นมานั้น เป็นฟิล์มบางของอินเดียมทินออกไซด์

คำสำคัญ : อินเดียมทินออกไซด์, ฟิล์มบาง, แมกนีตรอนสปัตเตอริง

Abstract

Indium-Tin-Oxide (ITO) thin films were deposited on glass substrates using DC magnetron reactive sputtering at different bias sputtering power deposition conditions. The ITO film thickness was measured by interferometry technique. The sheet resistances of the films were measured by the four-point probe method. The films were characterized by x-ray diffractrometer (XRD) and synchrotron x-ray photoemission spectroscopy (XPS) for their crystal structure and binding energies, respectively. It was found that the film thickness changed from 204 to 793 nm when the sputtering power was changed from 50 to 150 W. The resistances of the films were from 264 to 499 /cm². The obtained binding energies and crystal structure indices confirmed ITO film.

Keywords : Indium Tin Oxide, ITO, Thin film, magnetron sputtering